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CMPSH1-4_10	文件：479.02 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH1-4isaHighCurrent,SchottkyRectifierinasurfacemountSOT-23FpackagesuitableforhighcurrentapplicationsinmobilecommunicationsandDC-DCconverters. MARKINGCODE:SH1 FEATURES: •HighCurrent(1.0Amp) •PowerSOT-23FPackage	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH1-4L	文件：221.4 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT ULTRA LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH1-4Lisahighcurrent,ultralowVF,SchottkyBarrierRectifierinasurfacemountSOT-23Fpackage.Itissuitableforallapplicationsrequiringahighcurrent,smallsized,operationallyefficientSchottkyrectifier. MARKINGCODE:CSL FEATURES: •	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH1-4L_10	文件：504.63 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT ULTRA LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH1-4Lisahighcurrent,ultralowVF,SchottkyRectifierinasurfacemountSOT-23Fpackage.Itissuitableforallapplicationsrequiringahighcurrent,smallsized,operationallyefficientSchottkyrectifier. MARKINGCODE:CSL FEATURES: •Current	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH1-4LE	文件：215.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT LOW VF, LOW LEAKAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH1-4LEisanEnhancedhighcurrent,lowleakage,lowVF,SchottkyBarrierRectifierinasurfacemountSOT-23Fpackage.Itissuitableforallapplicationsrequiringpremiumperformanceinasmallsized,highcurrentSchottkyrectifierthatoffersbothv	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH1-4LE_10	文件：505.26 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT LOW VF, LOW LEAKAGE SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH1-4LEisanEnhancedhighcurrent,lowleakage,lowVF,SchottkyRectifierinasurfacemountSOT-23Fpackage.Itissuitableforallapplicationsrequiringpremiumperformanceinasmallsized,highcurrentSchottkyrectifierthatoffersbothverylow	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3	文件：79.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3seriestypesareSiliconSchottkydiodesdesignedforsurfacemountfastswitchingapplicationsrequiringalowforwardvoltagedrop.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3	文件：588.9 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3seriestypesareSiliconSchottkydiodesdesignedforsurfacemountfastswitchingapplicationsrequiringalowforwardvoltagedrop.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3	文件：4.35139 Mbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●HighSwitchingSpeed ●LowForwardVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CMPSH-3	文件：172.57 Kbytes Page：3 Pages	350mW 30Volt Switching Diode Features •LowCurrentLeakage •ForSurfaceMountApplications •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CMPSH-3	文件：224.87 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode Features ◇ExtremelyFastswitchingspeed. ◇Lowforwardvoltage. ◇PowerdissipationPd=350mW ◇Pb/RoHSFree Applications ◇Fastswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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技术参数

Type：
DIP/MOS
Vdss(V)：
120
Ids(A)：
120
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.0058
Rds(Ω)-4.5V：
0.007
Channel：
N场
Pd(W)：
250
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