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CGHV40100P中文资料100-W; DC CGHV40100 3-GHz; 50-V; GaN HEMT数据手册MACOM规格书
CGHV40100P规格书详情
描述 Description
Up to 3 GHz Operation100 W Typical Output Power17.5 dB Small Signal Gain at 2.0 GHzApplication Circuit for 0.5 – 2.5 GHz55% Efficiency at PSAT50 V Operation
特性 Features
• Up to 3 GHz Operation
• 100 W Typical Output Power
• 17.5 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
• Application Circuit for 0.5 – 2.5 GHz
• 55% Efficiency at PSAT
• 50 V Operation
应用 Application
• Linear and compressed amplifier circuits
技术参数
- 制造商编号
：CGHV40100P
- 生产厂家
：MACOM
- Peak Output Power Range
：100 - 199 W
- Frequency Range
：General Purpose
- Technology
：GaN on SiC
- Frequency (Min)
：DC
- Frequency (Max)
：3 GHz
- Peak Output Power
：100 W
- Gain
：17.5 dB
- Efficiency
：55%
- Operating Voltage
：50 V
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Package Type
：Pill
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