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CEZ19R15	文件：747.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 62A, RDS(ON) = 19mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. 文件：747.05 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEZ20V	文件：1.80583 Mbytes Page：28 Pages	丝印：M9；Package：ESC；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1) Voltage surge protection Features (1) Small package (2) The typical voltage of VZ is accorded to E24 series. 文件：1.80583 Mbytes 页数：28 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CEZ22V	文件：1.80583 Mbytes Page：28 Pages	丝印：MA；Package：ESC；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1) Voltage surge protection Features (1) Small package (2) The typical voltage of VZ is accorded to E24 series. 文件：1.80583 Mbytes 页数：28 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CEZ24V	文件：1.80583 Mbytes Page：28 Pages	丝印：MB；Package：ESC；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1) Voltage surge protection Features (1) Small package (2) The typical voltage of VZ is accorded to E24 series. 文件：1.80583 Mbytes 页数：28 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CEZ27V	文件：1.80583 Mbytes Page：28 Pages	丝印：MC；Package：ESC；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1) Voltage surge protection Features (1) Small package (2) The typical voltage of VZ is accorded to E24 series. 文件：1.80583 Mbytes 页数：28 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CEZ3053A	文件：1.10593 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -93A, RDS(ON) = 5 mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 9 mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. 文件：1.10593 Mbytes 页数：6 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEZ30V	文件：1.80583 Mbytes Page：28 Pages	丝印：MD；Package：ESC；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1) Voltage surge protection Features (1) Small package (2) The typical voltage of VZ is accorded to E24 series. 文件：1.80583 Mbytes 页数：28 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CEZ3133	文件：891.64 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -36A, RDS(ON) = 16 m W @VGS = -10V. RDS(ON) = 27m W @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. 文件：891.64 Kbytes 页数：6 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEZ33V	文件：1.80583 Mbytes Page：28 Pages	丝印：ME；Package：ESC；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1) Voltage surge protection Features (1) Small package (2) The typical voltage of VZ is accorded to E24 series. 文件：1.80583 Mbytes 页数：28 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CEZ36V	文件：1.80583 Mbytes Page：28 Pages	丝印：MF；Package：ESC；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1) Voltage surge protection Features (1) Small package (2) The typical voltage of VZ is accorded to E24 series. 文件：1.80583 Mbytes 页数：28 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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技术参数

BVDSS(V)：
80
Rds(on)mΩ@10V：
3.6
ID(A)：
113
Qg(nC)@10V(typ)：
95
RθJC(℃/W)：
1.5
Pd(W)：
83
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	CEZ3R03	CET	25+	QFN8	1142	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	CEZ3R03	CET	25+	QFN-8	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	CEZ07R10L	CET(华瑞)	2447	PR-PACK(5*6)	105000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEZ6515	CET/華瑞	23+	DFN8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CEZ6R36	CET/華瑞	23+	QFN8	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEZ25R4	CET/華瑞	20+	PR-PACK(5*6)	120000	只做原装可免费提供样品	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	CEZANNE	ST	23+	原厂原封	16900	正规渠道,只有原装!	询价
亚泰电子科技有限公司	CEZ6V8,L3F(T	TOSHIBA	22+	SMD	16000		询价
深圳市能元时代电子有限公司	CEZ3R03	CET	23+	QFN-8	12800	公司只有原装欢迎来电咨询。	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CEZ3R04	CET/華瑞	23+	PR-PACK	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价

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