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DMN3112S	文件：144.85 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance: 57mΩ@VGS=10V 112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMN3112SSS	文件：194.07 Kbytes Page：4 Pages	SINGLEN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •57mΩ@VGS=10V •112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DS3112	文件：585.75 Kbytes Page：135 Pages	TEMPET3/E3Multiplexer3.3VT3/E3FramerandM13/E13/G.747Mux	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS3112N	文件：585.75 Kbytes Page：135 Pages	TEMPET3/E3Multiplexer3.3VT3/E3FramerandM13/E13/G.747Mux	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS3112N	文件：2.38627 Mbytes Page：133 Pages	TEMPET3/E3Multiplexer3.3VT3/E3FramerandM13/E13/G.747Mux	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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DS3112RD	文件：846.62 Kbytes Page：12 Pages	DS3/E3MultiplexerReferenceDesign	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
DW3112	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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