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BC859A	文件：218.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC859A	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC859A	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC859AMTF	文件：150.03 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC859AW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC859AW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC859B	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC859B	文件：186.97 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagin	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC859B	文件：218.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC859B	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC859B	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC859B	文件：95.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC859B	文件：922.79 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating –HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC859B	文件：41.03 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●NPNcomplements:BC849andBC850.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC859B	文件：137.75 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC859B	文件：145.27 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC859B	文件：540.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC859B	文件：355.55 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC859BF	文件：165.44 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC847BF,BC848BFBC849BF,BC850BF(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC859BL	文件：830.81 Kbytes Page：9 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSPNPSILICON DESCRIPTION The BC856857858859ALBL/CLareavailablein SOT23package FEATURES ⚫MoistureSensitivityLevel:1 ⚫ESDRatingHumanBodyModel:>4000V MachineModel:>400 V ⚫AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI

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详细参数

型号：
CAT859CTBI-G
功能描述：
监控电路 Push-Pull Low 320mW 1.2V to 5.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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