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BUL3N7	文件：199.17 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Description TheBUL3N7ismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisexpr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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BUL3N7

文件：199.17 Kbytes

Page：10 Pages

MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

Description TheBUL3N7ismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisexpr

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

BUL3N7

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 3A TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
BUL3N7
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
18 @ 700mA，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 3A TO220

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更多BUL3N7供应商更新时间2024-4-29 16:30:00

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