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BUL416	文件：81.43 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialMesatechnologyforcost-effectivehighperformance.ItusesaHollowEmitterstructuretoenhanceswitchingspeeds. TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies. ■S	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL416	文件：263.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage:VCEO(SUS)=800V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2A ·VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL416	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 800V 6A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL416T	文件：124.68 Kbytes Page：9 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description TheBUL416Tisanhighvoltagefast-switchingNPNpowertransistormanufacturedinplanartechnologywithdiffusedcollector.ThisdeviceisdesignedforlightingandSMPSapplicationswherehighvoltagecapabilityisneededcoupledwithhighswitchingspeed. Features ■Highvoltage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL416_05	文件：208.81 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL416B	文件：208.81 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL416T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 800V 6A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
416	文件：593.28 Kbytes Page：2 Pages	EconomyTrimmers	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
A416RU	文件：175.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,4WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
AC-416	文件：109.8 Kbytes Page：1 Pages	ALUMINUMCHASSIS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AD416	文件：395.36 Kbytes Page：6 Pages	TapeandReelPackaging	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADC416	文件：171.91 Kbytes Page：2 Pages	1W,Ultra-HighIsolationSIP,Single&DualOutputDC/DCConverters 1W,Ultra-HighIsolationSIP,Single&DualOutputDC/DCConverters MPSIndustriesADC4001WDC/DCsarespeciallydesignedtoprovideultra-highlevelsofisolation6000VDCinaminiatureSIPpackage. Theseriesconsistsof12modelswithinputvoltagesof5Vand12VDCwhichoffersstandard	MPSIND MPS Industries, Inc.	MPSIND
AOB416	文件：273.97 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB416	文件：120.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB416usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityandbodydiodecharacteristics.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB416isPb-free(meetsROHS&Sony25	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB416	文件：283.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=45A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=36mΩ(Max) •100avalanchetested •Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB416L	文件：120.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB416usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityandbodydiodecharacteristics.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB416isPb-free(meetsROHS&Sony25	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT416	文件：280.56 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT416	文件：289.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT416	文件：949.3 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AT416	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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晶体管资料

型号：
BUL416
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1600V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
1600
htest：
999900
atest：
6
wtest：
85

产品属性

产品编号：
BUL416
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 1.33A，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
250µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
12 @ 700mA，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 800V 6A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	BUL416	ST	07+/08+	TO-220-3	744		询价
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更多BUL416供应商更新时间2024-4-29 16:30:00

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