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MOTTO-220

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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深圳市宏世佳电子科技有限公司

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标准国际(香港)有限公司

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市华来深电子有限公司

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MOT

1541

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深圳市威雅利发展有限公司

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MOTOLORATO-220

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深圳市一线半导体有限公司

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深圳市恒创达实业有限公司

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BUL45

5800

2023+

进口原装,现货热卖

深圳飞弛宏科技有限公司

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ST/意法TO220

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BUL45

MOTOLORATO-220

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BUL45D2G价格

BUL45D2G价格：￥2.6249品牌：ON

生产厂家品牌为ON的BUL45D2G多少钱，想知道BUL45D2G价格是多少？参考价：￥2.6249。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUL45D2G批发价格及采购报价，BUL45D2G销售排行榜及行情走势，BUL45D2G报价。

BUL45中文资料Alldatasheet PDF

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BUL45功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BUL45功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BUL45/D功能描述:NPN Silicon Power Transistor

BUL45_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor

BUL45A功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

BUL45D2功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BUL45D2/D功能描述:High Speed， High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network

BUL45D2G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BUL45F制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS

BUL45G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BUL45

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 系列：

    SWITCHMODE™

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    400mV @ 400mA，2A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    14 @ 300mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    12MHz

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 5A TO220

晶体管资料

  • 型号：

    BUL45

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    400V

  • 最大电流允许值：

    5A

  • 最大工作频率：

    20MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    70W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-10

  • vtest：

    400

  • htest：

    20000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    70

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