BUL45分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUL45 |
| 参数属性 | BUL45 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 5A TO220 |
| 功能描述 | POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
392.6 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 16:50:00 |
| 人工找货 | BUL45价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUL45规格书详情
BUL45属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BUL45晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
NPN Silicon Power Transistor High Voltage SWITCHMODE Series
Designed for use in electronic ballast (light ballast) and in SWITCHMODE Power supplies up to 50 W.
特性 Features
• Improved Efficiency Due to:
♦ Low Base Drive Requirements (High and Flat DC Current Gain hFE)
♦ Low Power Losses (On--State and Switching Operations)
♦ Fast Switching: tfi = 100 ns (typ) and tsi = 3.2 μs (typ)
♦ @ IC = 2.0 A, IB1 = IB2 = 0.4 A
• Full Characterization at 125°C
• Tight Parametric Distributions Consistent Lot-to-Lot
• Pb−Free Package is Available*
产品属性
更多- 产品编号：
BUL45
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
SWITCHMODE™
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 400mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14 @ 300mA，5V
- 频率 - 跃迁：
12MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 400V 5A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
25+23+ |
DIP |
73658 |
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询价 | ||
MOT |
25+ |
QFP |
3200 |
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MOT |
24+ |
1541 |
询价 | ||||
25+ |
80 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | ||||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
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询价 | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
TO-220AB |
860000 |
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询价 | ||
MOTOLOR |
24+ |
TO-220 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-220AB |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
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询价 |
