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BUL45D2G	文件：248.72 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−in Efficient Antisaturation Network The BUL45D2G is state−of−art High Speed High gain BiPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot−to−lot minimum spread (±150 ns on storage ti 文件：248.72 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2G	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 5A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
D45D2	文件：808.68 Kbytes Page：2 Pages	PNP POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：808.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
IXF-45D2AF	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	Crystal Filter 3 Lead Metal Package 文件：43.46 Kbytes 页数：1 Pages	ILSI	ILSI
IXF-45D2AT	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	Crystal Filter 3 Lead Metal Package 文件：43.46 Kbytes 页数：1 Pages	ILSI	ILSI

更多BUL45D2G供应商更新时间2025-10-7 8:12:00