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BUL45D2G	文件：248.72 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistor withIntegratedCollector−EmitterDiodeandBuilt−inEfficientAntisaturationNetwork TheBUL45D2Gisstate−of−artHighSpeedHighgainBiPolartransistor(H2BIP).Highdynamiccharacteristicsandlot−to−lotminimumspread(±150nsonstorageti	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUL45D2G	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUL45D2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 5A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUL45D2	文件：444.7 Kbytes Page：12 Pages	POWERTRANSISTORS5AMPERES700VOLTS75WATTS TheBUD45D2isstate–of–artHighSpeedHighgainBIPolartransistor(H2BIP).Highdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(±150nsonstoragetime)makeitideallysuitableforlightballastapplications.Therefore,thereisnoneedtoguaranteeanhFEwindow. Mainfeatures: •Low	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BUL45D2	文件：444.7 Kbytes Page：12 Pages	POWERTRANSISTORS5AMPERES700VOLTS75WATTS HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistorwithIntegratedCollector−EmitterDiodeandBuilt−inEfficientAntisaturationNetwork TheBUL45D2isstate–of–artHighSpeedHighgainBIPolartransistor(H2BIP).Highdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(±150nsonstoragetime	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUL45D2	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
D45D2	文件：808.68 Kbytes Page：2 Pages	PNPPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IXF-45D2AF	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	CrystalFilter3LeadMetalPackage	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IXF-45D2AT	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	CrystalFilter3LeadMetalPackage	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IXF-45D2BF	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	CrystalFilter3LeadMetalPackage	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IXF-45D2BT	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	CrystalFilter3LeadMetalPackage	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IXF-45D2CF	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	CrystalFilter3LeadMetalPackage	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IXF-45D2CT	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	CrystalFilter3LeadMetalPackage	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
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IXF-45D2DT	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	CrystalFilter3LeadMetalPackage	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI

产品属性

产品编号：
BUL45D2G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 400mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
13MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 5A TO220

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