BUL45D2G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUL45D2G |
| 参数属性 | BUL45D2G 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 5A TO220 |
| 功能描述 | High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
248.72 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-16 10:19:00 |
| 人工找货 | BUL45D2G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUL45D2G规格书详情
BUL45D2G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BUL45D2G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor
with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−in Efficient Antisaturation Network
The BUL45D2G is state−of−art High Speed High gain BiPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot−to−lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
特性 Features
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)
• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
产品属性
更多- 产品编号：
BUL45D2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 400mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，1V
- 频率 - 跃迁：
13MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 400V 5A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2010+ |
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