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BUL45D2分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUL45D2

参数属性

BUL45D2 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 5A TO220

功能描述

POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

444.7 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

MOTOROLA

中文名称

摩托罗拉

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BUL45D2

  • 别名:

    BUL45D2三极管、BUL45D2晶体管、BUL45D2晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Di

  • 性质:

    SMPS_LO_DRIVE

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    700V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    12MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    700

  • htest:

    12000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    75

BUL45D2规格书详情

The BUD45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window.

Main features:

• Low Base Drive Requirement

• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA

• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread

• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode

• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)

• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads

It’s characteristics make it also suitable for PFC application.

产品属性

  • 产品编号:

    BUL45D2

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 400mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    13MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 5A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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