BUL45D2说明书PDF资料批发采购安森美半导体-114ic电子网

首页 >BUL45D2>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
BUL45D2	文件：444.7 Kbytes Page：12 Pages	POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−in Efficient Antisaturation Network The BUL45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time 文件：444.7 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2	文件：444.7 Kbytes Page：12 Pages	POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS The BUD45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features: • Low 文件：444.7 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BUL45D2	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Bipolar Power Transistor The BUL45D2 is state-of-art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. • Low Base Drive Requirement\n• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA\n• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread\n• Integrated Collector-Emitter Free Wheeling Diode\n• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)\n• \";	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 5A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2G	文件：248.72 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−in Efficient Antisaturation Network The BUL45D2G is state−of−art High Speed High gain BiPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot−to−lot minimum spread (±150 ns on storage ti 文件：248.72 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2_14	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2G	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 5A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BUL45D2
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 400mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
13MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 5A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BUL45D2	ON	24+	TO220ATLAS	6000		询价
深圳市华来深电子有限公司	BUL45D2	ON	23+	TO-220-3	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BUL45D2	ON/安森美	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BUL45D2	ON/安森美	23+	TO-TO-220	37650	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	BUL45D2	ON Semiconductor	2022+	TO-220AB	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	BUL45D2	ON/安森美	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市旺财半导体有限公司	BUL45D2	ST	23+	TO-220	4810	正品原装货价格低	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	BUL45D2	ON	22+	TO-220-3	50000	ON二三极管全系列在售	询价
深圳市芯皇电子有限公司	BUL45D2	ON	22+	TO-220-3	50000	原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BUL45D2	ON	25+	TO-TO-220	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价

更多BUL45D2供应商更新时间2025-10-10 16:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号