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BUL58D	文件：197.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage Capability • High Speed Switching • Integrated Antiparallel Collector-Emitter Diode APPLICATIONS • Electronic ballasts for fluorescent lighting • Electronic transformers for halogen lamps • Switch mode power supply 文件：197.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL58D	文件：75.73 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The BUL58D is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTY 文件：75.73 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL58D	文件：213.25 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：213.25 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL58D_01	文件：213.25 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：213.25 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL58D	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压快速切换NPN功率晶体管 The BUL58D is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.\n\n The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. • INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE \n• HIGH RUGGEDNESS \n• VERY HIGH SWITCHING SPEED \n• LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS \n• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE \n• HIGH VOLTAGE CAPABILITY \n• NPN TRANSISTOR \n• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION \n• FULLY CHARACTERISED A;	ST 意法半导体	ST
BUL58D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 8A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BUL58D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
850V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUF405(A),BUT12(A),BUT56(A),
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
850
htest：
999900
atest：
8
wtest：
85

产品属性

产品编号：
BUL58D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
200µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 5A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 450V 8A TO220

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