BUL58D中文资料高压快速切换NPN功率晶体管数据手册ST规格书
BUL58D规格书详情
描述 Description
The BUL58D is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.
The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.
特性 Features
• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE
• HIGH RUGGEDNESS
• VERY HIGH SWITCHING SPEED
• LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS
• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
• HIGH VOLTAGE CAPABILITY
• NPN TRANSISTOR
• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
• FULLY CHARACTERISED AT 125°C
• LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
简介
BUL58D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BUL58D晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BUL58D
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
：450
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：450
- Collector-Base Voltage_max(V)
：800
- Collector Current_max(A)
：8
- Collector Current_abs_max(A)
：8
- Dc Current Gain_min
：5
- Test Condition for hFE (IC)
：5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：5
- VCE(sat)_max(V)
：1.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：4
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：800
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