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BUL58	文件：22.98 Kbytes Page：2 Pages	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：22.98 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUL58A	文件：19.56 Kbytes Page：2 Pages	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES • Multi–base for efficient energy distribution across the chip resulting in significantly improved switching and energy ratings across full temperature range. • Ion implant and high accuracy masking for tight control of characteristics from batch to batch. • Triple Guard Rings for impr 文件：19.56 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUL58ASMD	文件：14.67 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar NPN Device. VCEO = 160V IC = 10A 文件：14.67 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUL58D	文件：75.73 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The BUL58D is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTY 文件：75.73 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL58D	文件：197.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage Capability • High Speed Switching • Integrated Antiparallel Collector-Emitter Diode APPLICATIONS • Electronic ballasts for fluorescent lighting • Electronic transformers for halogen lamps • Switch mode power supply 文件：197.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL58B	文件：193.98 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：193.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL58B	文件：19.52 Kbytes Page：2 Pages	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：19.52 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUL58BSMD	文件：22.98 Kbytes Page：2 Pages	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：22.98 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUL58D	文件：213.25 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：213.25 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL58D_01	文件：213.25 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：213.25 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BUL58D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
850V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUF405(A),BUT12(A),BUT56(A),
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
850
htest：
999900
atest：
8
wtest：
85

技术参数

Package：
TO-220AB
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
NPN
Collector-Emitter Voltage_nom(V)：
450
Collector-Emitter Voltage_max(V)：
450
Collector-Base Voltage_max(V)：
800
Collector Current_max(A)：
8
Collector Current_abs_max(A)：
8
Dc Current Gain_min：
5
Test Condition for hFE (IC)：
5
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
5
VCE(sat)_max(V)：
1.5
Test Condition for VCE(sat) - IC：
4
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
800

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