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BUL118 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desig 文件：75 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
BUL118 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半导体 | ST | |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desig 文件：243.25 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector–Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS) = 400V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 0.5A • Very High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for use in lighting applications and low cost switchmode power supplies. 文件：196.43 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半导体 | ST |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Di
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
700V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BUF620,BUH50,
- 最大耗散功率：
60W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
700
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
60
详细参数
- 型号：
BUL118
- 功能描述：
BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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