选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INF3P |
159534 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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西门子TO-218AB |
77 |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO247 |
8668 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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TO-220 |
10000 |
全新 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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西门子 |
20000 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
140 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7053 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌NA/ |
8668 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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INFNA |
6500 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO-218 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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PHILDIP |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/SIEMENS/西门子TO-218-3 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-218 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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DIPNA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEONTO-3P |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-218 |
68900 |
INFINEON |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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INF |
220 |
BUP31采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BUP31图片
BUP314D中文资料Alldatasheet PDF
更多BUP31功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-220AB
BUP311D功能描述:IGBT 晶体管 1200V, 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP313功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP313D功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP313DQ67040-A4228-A2制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR DUOPACK IGBT
BUP314功能描述:IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP314D功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
30V
- 最大电流允许值:
20A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
35W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
30
- htest:
999900
- atest:
20
- wtest:
35