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BUP311D	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUP312	文件：169.39 Kbytes Page：6 Pages	IGBT •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Avalancherated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUP313	文件：99.4 Kbytes Page：8 Pages	IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated) •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Avalancherated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUP313D	文件：110.27 Kbytes Page：8 Pages	IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free) IGBTWithAntiparallelDiode •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Includingfastfree-wheeldiode	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUP314	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated) •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Avalancherated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUP314D	文件：105.28 Kbytes Page：9 Pages	IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode) •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Includingfastfree-wheeldiode	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUP311D	文件：71 Kbytes Page：9 Pages	IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUP314S	文件：59.77 Kbytes Page：7 Pages	IGBT (High switching speed Very low switching losses Low tail current Latch-up free Avalanche rated)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

详细参数

型号：
BUP31
功能描述：
IGBT 晶体管 1200V, 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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