BUP311D中文资料PDF规格书
BUP311D规格书详情
• Designed for:
- TV – Horizontal Line Deflection
• 2nd generation HighSpeed-Technology
for 1200V applications offers:
- loss reduction in resonant circuits
- temperature stable behavior
- parallel switching capability
- tight parameter distribution
- Eoff optimized for IC =3A
- simple Gate-Control
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
产品属性
- 型号：
BUP311D
- 功能描述：
IGBT 晶体管 1200V, 20A
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
07+ |
TO-218 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
22+ |
20000 |
全新、原装、现货 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-218 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 | ||
SIEMENS |
23+ |
TO-3P |
1030 |
特价库存 |
询价 | ||
INFINEON/SIEMENS/西门子 |
23+ |
TO-218-3 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
infineon |
23+24 |
TO-218 |
59630 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-218 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
infineon |
08+09+ |
TO-220(218) |
13750 |
询价 | |||
INFIEON |
2020+ |
TO-3P |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO3P |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 |
