BUP313D中文资料IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free)数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号:
BUP313D
- 功能描述:
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
西门子 |
24+ |
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7000 |
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