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BUP311D中文资料IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BUP311D

功能描述

IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:02:00

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技术参数

  • 型号:

    BUP311D

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V, 20A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
INFINEON
22+
TO-3P
8000
原装正品支持实单
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-218
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
询价
infineon
24+
TO-220(218)
13750
询价
Infineon
24+
SOT-323
10966
公司现货库存,支持实单
询价
23+
TO-3P
1
询价
Infineon
2025+
TO-218AA
5425
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
infineon
25+
TO-218
5000
原装正品,假一罚十!
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO-218
288939
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-218
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价