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BUP212	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUP212	文件：52.46 Kbytes Page：7 Pages	Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated IGBT • Low forward voltage drop • High switching speed • Low tail current • Latch-up free • Avalanche rated 文件：52.46 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUP213	文件：64.569 Kbytes Page：8 Pages	Low forward voltage drop IGBT Preliminary data • High switching speed • Low tail current • Latch-up free • Avalanche rated • Low forward voltage drop Remark: The TO-218 AB case doesnt solve the standards VDE 0110 and UL 508 for creeping distance 文件：64.569 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUP213	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUP213	文件：110.33 Kbytes Page：8 Pages	IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated) 文件：110.33 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUP212	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated	Infineon 英飞凌	Infineon
BUP213	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)	Infineon 英飞凌	Infineon
BUP213	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 32A 200W TO220	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
BUP213
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，15A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
70ns/400ns
测试条件：
600V，15A，82 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 1200V 32A 200W TO220

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