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BUP213分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUP213

参数属性

BUP213 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 32A 200W TO220

功能描述

Low forward voltage drop
IGBT 1200V 32A 200W TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

64.569 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 16:38:00

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BUP213规格书详情

BUP213属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的BUP213晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

IGBT

Preliminary data

• High switching speed

• Low tail current

• Latch-up free

• Avalanche rated

• Low forward voltage drop

    Remark: The TO-218 AB case doesnt solve the standards VDE 0110 and UL 508 for creeping distance

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BUP213

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,15A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    70ns/400ns

  • 测试条件:

    600V,15A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 1200V 32A 200W TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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