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BULT3P3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BULT3P3
厂商型号

BULT3P3

参数属性

BULT3P3 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 200V 3A SOT32-3

功能描述

Medium voltage fast-switching PNP power transistor
TRANS PNP 200V 3A SOT32-3

丝印标识

BULT3P3

封装外壳

SOT-32 / TO-225AA,TO-126-3

文件大小

153.7 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 9:48:00

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BULT3P3规格书详情

BULT3P3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BULT3P3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

The device is manufactured using high voltage

multi-epitaxial planar technology for high

switching speeds and medium voltage capability.

It uses a cellular emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds

while maintaining the wide RBSOA.

The device is expressly designed for a new

solution to be used in compact fluorescent lamps,

where it is coupled with the BULT3N4, its

complementary NPN transistor.

特性 Features

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

Application

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BULT3P3

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS PNP 200V 3A SOT32-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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50000
全新原装正品现货,支持订货
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