BULK128D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BULK128D |
参数属性 | BULK128D 封装/外壳为SOT-82;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 |
功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
封装外壳 | SOT-82 |
文件大小 |
83.21 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-30 11:42:00 |
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BULK128D规格书详情
BULK128D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BULK128D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.
■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
■ ORDERING CODES : BULK128D-A AND BULK128D-B
■ NPN TRANSISTOR
■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY
■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
■ VERY HIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
■ ELECTRONIC BALLASTS FOR FLUORESCENT LIGHTING
■ FLYBACK AND FORWARD SINGLE TRANSISTOR LOW POWER CONVERTERS
产品属性
更多- 产品编号:
BULK128D-B
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500mA,2.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
250µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 2A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
SOT-82
- 供应商器件封装:
SOT-82-3
- 描述:
TRANS NPN 400V 4A SOT82-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
04+ |
TO-126 |
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TO-126 |
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