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BULK128D | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：83.21 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：216.86 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
BULK128D | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半导体 | ST | |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半导体 | ST | ||
Package：SOT-82；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Di
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
700V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
55W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
700
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
55
详细参数
- 型号：
BULK128D
- 制造商：
STMICROELECTRONICS
- 制造商全称：
STMicroelectronics
- 功能描述：
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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