| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
4800 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO220 |
4901 |
0521+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/SIEMENS/西门子TO-220-3 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
92675 |
22+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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英飞凌TO220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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SIETO-220 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SIE |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
4800 |
23+ |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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infineon/英飞凌TO-220 |
10000 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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Infineon/英飞凌TO220 |
9852 |
1937+ |
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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INFINEONTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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infineon/英飞凌TO-220 |
12800 |
21+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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infineon/英飞凌TO-220 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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infineon/英飞凌TO-220 |
30000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
10000 |
2122+ |
全新原装进口,价格美丽 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
22+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
BUP213采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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BUP213资讯
BUP213
深圳市鑫欧美电子有限公司，0755-82708963张小姐
BUP213中文资料Alldatasheet PDF
更多BUP213功能描述:IGBT 晶体管 IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP213 E3045A功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP213E3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 32A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
产品属性
- 产品编号：
BUP213
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，15A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
70ns/400ns
- 测试条件：
600V，15A，82 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 1200V 32A 200W TO220
