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BUL213

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The BUL213 is manufactured using high voltage Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. It uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ■ STM

文件:71.32 Kbytes 页数:6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL213

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

ST

意法半导体

BUL213

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 600V 3A TO220

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL213_03

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件:168.88 Kbytes 页数:6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

晶体管资料

  • 型号:

    BUL213

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1300V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BU505,2SC4021,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    1300

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    60

产品属性

  • 产品编号:

    BUL213

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    900mV @ 200mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    250µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    16 @ 350mA,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 600V 3A TO220

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更多BUL213供应商 更新时间2026-4-17 16:12:00