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BUL128	文件：265.57 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector–Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS) = 400V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = 0.7V(Max) @ IC= 0.5A ·Very High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch mode power supplies. 文件：265.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL128	文件：72.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi 文件：72.78 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：79.68 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi 文件：79.68 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：168.91 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi 文件：168.91 Kbytes 页数：5 Pages	SUNTAC	SUNTAC
BUL128	文件：65.379 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：65.379 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
BUL128	文件：235.5 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：235.5 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL128	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
BUL128	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 4A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL128D	文件：65.58 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is d 文件：65.58 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
BUL128D	文件：66.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage, high speed ·Integrated antiparallel collector-emitter diode APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. 文件：66.76 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
BUL128
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
700V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUF620,BUH50,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
700
htest：
999900
atest：
4
wtest：
70

产品属性

产品编号：
BUL128
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1A，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14 @ 2A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 4A TO220

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