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DG636

0.5pCChargeInjection,100pALeakage,DualSPDTAnalogSwitch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

DG636

0.5pCChargeInjection,100pALeakage,DualSPDTAnalogSwitch

FEATURES •Ultralowchargeinjection (±0.5pC,typ.overthefullanalogsignalrange) •Leakagecurrent

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

DG636E

TheDG636Eoperatingtemperaturerangeisspecified

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

DSW-636

PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

DSW-636

PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

DSW-636

SplitBobbin-PrintedCircuitTransformersSingle&DualPrimaries

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ES636

TrueRMS-to-DCConverters

Description TheES636isatrueRMS-to-DCconverter.Itacceptslow-levelinputsignalsfrom0to400mVRMScomplexinputwaveforms.Itcanbeoperatedformeitherasinglesupplyordualsupplies.Thedevicedrawslessthan1mAofquiescentsupplycurrent,furthermore,anenablepinisprovide

CYRUSTEKCyrustek corporation

承永科技承永资讯科技股份有限公司

ES636

TrueRMS-to-DCConverters

Description TheES636isatrueRMS-to-DCconverter.Itacceptslow-levelinputsignalsfrom0to400mVRMScomplexinputwaveforms.Itcanbeoperatedformeitherasinglesupplyordualsupplies.Thedevicedrawslessthan1mAofquiescentsupplycurrent,furthermore,anenablepinisprovide

CYRUSTEKCyrustek corporation

承永科技承永资讯科技股份有限公司

FAJAE-636

FRJAEASSEMBLY,6POSITIONAND8POSITION

AMPHENOLAmphenol Corporation

安费诺集团美国安费诺集团

FDC636P

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

晶体管资料

  • 型号:

    BUF636A

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1000V

  • 最大电流允许值:

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    1000

  • htest:

    4000100

  • atest:

    0

  • wtest:

    50

详细参数

  • 型号:

    BUF636A

  • 制造商:

    TEMIC

  • 制造商全称:

    TEMIC Semiconductors

  • 功能描述:

    Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

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更多BUF636A供应商 更新时间2025-5-6 18:18:00