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BTD2057A3	文件：160.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Pb-free package 文件：160.84 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2061FP	文件：171.27 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.2V at IC/IB=2A/0.2A. • Excellent DC current gain characteristics. • Wide SOA(safe operating area). • Pb-free package. 文件：171.27 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2097AI3	文件：156.13 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 4A / 0.1A • Excellent current gain characteristics • Complementary to BTB1412AI3 文件：156.13 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2097LI3	文件：149.37 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTB1326LI3 文件：149.37 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2098AM3	文件：234.7 Kbytes Page：6 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTB1386AM3 • Pb-free package 文件：234.7 Kbytes 页数：6 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2098LM3	文件：186.4 Kbytes Page：5 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTB1386LM3 • Pb-free package 文件：186.4 Kbytes 页数：5 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2098LN3	文件：250.57 Kbytes Page：5 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTB1386LN3 • Pb-free package 文件：250.57 Kbytes 页数：5 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2098M3	文件：132.61 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTB1386M3 文件：132.61 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2098N3	文件：170.27 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTB1386N3 文件：170.27 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2114N3	文件：283.63 Kbytes Page：8 Pages	High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor AUDIO MUTING APPLICATION Features • High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min). • High DC current gain, hFE=1200(min.) @VCE=3V, IC=10mA. • Low VCESAT, VCESAT=0.16V typ. @ IC=500mA, IB=20mA. • Pb-free and halogen-free package. 文件：283.63 Kbytes 页数：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

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晶体管资料

型号：
BTD0105
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
T2303...,T2306...,TAG200-...,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
50
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

OutputVoltage：
5V
OutputCurrent：
0 to 2000mA
Power：
10W
PackageType：
DIP
Withstandvoltage：
AC500V
RippleNoise：
40mVpp
Efficiency：
84%
Size(mm)：
36.4x23.1x12

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