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BTD1857AT3	文件：162.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Complementary to BTB1236AT3 文件：162.35 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1858A3	文件：207.84 Kbytes Page：9 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Pb-free package 文件：207.84 Kbytes 页数：9 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1858I3	文件：280.15 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Pb-free lead plating package 文件：280.15 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1858T3	文件：180.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Pb-free package 文件：180.57 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1862I3	文件：143.79 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.4 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.5A • Excellent current gain characteristics • Complementary to BTB1240I3 文件：143.79 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1864AI3	文件：153.18 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.2A • Excellent current gain characteristics • Complementary to BTB1243AI3 文件：153.18 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1864I3	文件：158.63 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat) • Excellent current gain characteristics • Complementary to BTB1243I3 文件：158.63 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1980J3	文件：158.32 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor Description The BTD1980J3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. 文件：158.32 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2012FP	文件：175.59 Kbytes Page：5 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage, typically VCE(SAT)=0.25V at IC / IB=2A / 0.2A • Excellent DC current gain characteristics • High allowable power dissipation, PD=25W(TC=25℃ ) • Large current capability • Pb-free package Applications • DC-DC converter, relay drivers, l 文件：175.59 Kbytes 页数：5 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD2040N3S	文件：280.83 Kbytes Page：8 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. • Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA • Pb-free lead plating and halogen-free package 文件：280.83 Kbytes 页数：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

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晶体管资料

型号：
BTD0105
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
T2303...,T2306...,TAG200-...,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
50
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

OutputVoltage：
5V
OutputCurrent：
0 to 2000mA
Power：
10W
PackageType：
DIP
Withstandvoltage：
AC500V
RippleNoise：
40mVpp
Efficiency：
84%
Size(mm)：
36.4x23.1x12

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