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BTD	文件：1.09211 Mbytes Page：14 Pages	The Fitfth Generation, Ultra Small Size, Isolated DC-DC Converter 文件：1.09211 Mbytes 页数：14 Pages	BELLNIX 贝尔尼克斯	BELLNIX
BTD1383M3	文件：195.55 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor Description • The BTD1383M3 is a darlington amplifier transistor. • Pb-free package 文件：195.55 Kbytes 页数：5 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD142F3	文件：255.04 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor Description The BTD142F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: • High BVCEO • Low VCE(SAT) • High current gain • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors • Pb-free lead plating package 文件：255.04 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1616AA3	文件：255.65 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor Features • High breakdown voltage, BVCEO≥ 60V • Large continuous collector current capability • Low collector saturation voltage • Pb-free and Halogen-free package 文件：255.65 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1616AM3	文件：311.47 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor Features • High breakdown voltage, BVCEO≥ 60V • Large continuous collector current capability • Low collector saturation voltage • Pb-free lead plating and halogen-free package 文件：311.47 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1616AN3	文件：300.75 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor Features • High breakdown voltage, BVCEO≥ 60V • Large continuous collector current capability • Low collector saturation voltage • Pb-free lead plating and halogen-free package 文件：300.75 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1616AN3-0-T1-G	文件：300.75 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor Features • High breakdown voltage, BVCEO≥ 60V • Large continuous collector current capability • Low collector saturation voltage • Pb-free lead plating and halogen-free package 文件：300.75 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1664M3	文件：154.12 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • The BTD1664M3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V (typical), at IC / IB = 400mA / 20mA • Complementary to BTB1132M3 文件：154.12 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1758J3	文件：139.61 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.4 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.5A • Excellent current gain characteristics • Complementary to BTB1182J3 文件：139.61 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1760J3	文件：166.83 Kbytes Page：5 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.2A • Excellent current gain characteristics • Complementary to BTB1184J3 • Pb-free package 文件：166.83 Kbytes 页数：5 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

晶体管资料

型号：
BTD0105
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
T2303...,T2306...,TAG200-...,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
50
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

OutputVoltage：
5V
OutputCurrent：
0 to 2000mA
Power：
10W
PackageType：
DIP
Withstandvoltage：
AC500V
RippleNoise：
40mVpp
Efficiency：
84%
Size(mm)：
36.4x23.1x12

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