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BTD1805I3	文件：164.26 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features • Very low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • High 文件：164.26 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1805J3	文件：163.99 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features • Very low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • High 文件：163.99 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1816I3	文件：235.21 Kbytes Page：6 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Large current capability • Good linearity of hFE • High fT • RoHS compliant package Applications • Suitable for relay drivers, high speed inverters, converters, and other high current switching applications. 文件：235.21 Kbytes 页数：6 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1816J3	文件：169.98 Kbytes Page：5 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Large current capability • Good linearity of hFE • High fT Applications • Suitable for relay drivers, high speed inverters, converters, and other high current switching applications. 文件：169.98 Kbytes 页数：5 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1857A3	文件：160.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Complementary to BTB1236A3 • Pb-free package 文件：160.86 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1857AD3	文件：168.22 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Complementary to BTB1236AD3 • Pb-free package 文件：168.22 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1857AE3	文件：160.53 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Complementary to BTB1236AE3 文件：160.53 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1857AI3	文件：158.66 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Complementary to BTB1236AI3 文件：158.66 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1857AJ3G	文件：235.3 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Complementary to BTB1236AJ3G • RoHS compliant and Halogen-free package 文件：235.3 Kbytes 页数：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BTD1857AM3	文件：170.71 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor Description • High BVCEO • High current capability • Complementary to BTB1236AM3 文件：170.71 Kbytes 页数：4 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

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晶体管资料

型号：
BTD0105
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
T2303...,T2306...,TAG200-...,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
50
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

OutputVoltage：
5V
OutputCurrent：
0 to 2000mA
Power：
10W
PackageType：
DIP
Withstandvoltage：
AC500V
RippleNoise：
40mVpp
Efficiency：
84%
Size(mm)：
36.4x23.1x12

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