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BTD2114N3中文资料全宇昕科技数据手册PDF规格书

BTD2114N3
厂商型号

BTD2114N3

功能描述

High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor

文件大小

283.63 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Cystech Electonics Corp.
企业简称

CYSTEKEC全宇昕科技

中文名称

全宇昕科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 21:28:00

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BTD2114N3规格书详情

High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor

AUDIO MUTING APPLICATION

特性 Features

• High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min).

• High DC current gain, hFE=1200(min.) @VCE=3V, IC=10mA.

• Low VCESAT, VCESAT=0.16V typ. @ IC=500mA, IB=20mA.

• Pb-free and halogen-free package.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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