BTD2114N3中文资料全宇昕科技数据手册PDF规格书
BTD2114N3规格书详情
High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor
AUDIO MUTING APPLICATION
特性 Features
• High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min).
• High DC current gain, hFE=1200(min.) @VCE=3V, IC=10mA.
• Low VCESAT, VCESAT=0.16V typ. @ IC=500mA, IB=20mA.
• Pb-free and halogen-free package.
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CYSTECH/全宇昕 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
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CYSTECH/全宇昕 |
25+ |
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TE/泰科 |
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NA/ |
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原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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CYSTECH/全宇昕 |
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SOT-23 |
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CYSTEKEC |
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SOT-89 |
2007 |
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全宇昕 |
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SOT-89 |
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CYS |
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SOT-89 |
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NA |
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CYSTECH/全宇昕 |
23+ |
SOT-23 |
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CYSTEKEC |
23+ |
SOT-23 |
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原装正品现货 |
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