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BSO200N03

OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件:264.69 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

BSO200N03

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.05364 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BSO200N03S

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.00912 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BSO200N03S

OptiMOS2 Power-Transistor

文件:238.94 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

BSO200P03S

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

文件:276.07 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

BSO200P03S

MOS Small Signal Transistor

文件:63.4 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

BSO200P03SH

OptiMOSTM-P Power-Transistor

文件:332.41 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

BSO201SP

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

文件:82.47 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSO203P

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

文件:82.89 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSO203PH

OptiMOS P-Power-Transistor

文件:321.44 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSO

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 5.7A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多BSO供应商 更新时间2026-1-27 14:14:00