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BSO200P03S

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

文件:276.07 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSO200P03S

MOS Small Signal Transistor

文件:63.4 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

BSO200P03SH

OptiMOSTM-P Power-Transistor

文件:332.41 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSO200P03S

Low Voltage MOSFETs - OptiMOS MOSFET, -30V, SO-8, Ron = 20m

Infineon

英飞凌

BSO200P03S H

20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSO200P03SHXUMA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    PG-DSO-8

  • VDS max:

    -30 V

  • RDS (on) @10V max:

    20 mΩ

  • QG typ @10V:

    -40 nC

  • VGS(th) min:

    -1 V

  • VGS(th) max:

    -2.2 V

  • Technology:

    OptiMOS™ P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多BSO200P03S供应商 更新时间2025-12-2 11:51:00