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BSO315C	文件：159.07 Kbytes Page：13 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP315	文件：174.92 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Pchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP315P	文件：83.78 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •P-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP315P	文件：13.0991 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP315P	文件：486.24 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •P-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP315P	文件：725.7 Kbytes Page：5 Pages	Greendeviceavailable. Description ThisP-channelMOSFETSuseadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features 1)Lowgatecharge. 2)Greendeviceavailable. 3)AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRD	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
BSP315P	文件：953.86 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BSR315P	文件：600.97 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS315P	文件：274.04 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??P2Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS315P	文件：127.99 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS-P2Small-Signal-Transistor	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI

详细参数

型号：
BSO315C
功能描述：
?SIPMOS. Complementary. 30V. SO-8. RDSon(N/P) = 0.11/0.25Ohm. Id(N) = 3.4A. Id(P) = -2.3A. LL?

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