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BSP315P	文件：83.78 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogenfree according to IEC61249221 文件：83.78 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP315P	文件：486.24 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogenfree according to IEC61249221 文件：486.24 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP315P	文件：725.7 Kbytes Page：5 Pages	Green device available. Description This P-channel MOSFETS use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features 1) Low gate charge. 2) Green device available. 3) Advanced high cell denity trench technology for ultra RD 文件：725.7 Kbytes 页数：5 Pages	KERSEMI	KERSEMI
BSP315P	文件：953.86 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：953.86 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
BSP315P	文件：13.0991 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：13.0991 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP315P-E6327	文件：543.94 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS횘 Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogenfree according to IEC61249221 文件：543.94 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP315PL6327	文件：576.79 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv /dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogenfree according to IEC61249221 文件：576.79 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP315PL6327HTSA1	文件：486.24 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogenfree according to IEC61249221 文件：486.24 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP315P_07	文件：13.0991 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：13.0991 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP315P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSP315PH6327XTSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-SOT223-4
VDS max：
-60 V
RDS (on) @10V max：
800 mΩ
QG typ @10V：
5.2 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
P
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2 V
Technology：
SIPMOS™

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