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BSO203PH	文件：321.44 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS P-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BSO203SPH	文件：303.12 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSP-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BT203	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BU203DL	文件：117.62 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BUJD203A	文件：1.06409 Mbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT78(TO220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Highvoltagecapability •Integratedanti-parallelE-Cdiode •Verylowswitch	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJD203AD	文件：300.02 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT428(DPAK)surface-mountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Highvoltagecapability •Integratedanti-parallelE-Cdiode •	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJD203AX	文件：209.36 Kbytes Page：14 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJD203AX	文件：784.69 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT186A(TO220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Highvoltagecapability •Integratedanti-parallelE-Cdiode •Isol	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN

详细参数

型号：
BSO203P
功能描述：
MOSFET P-CH -20 V -8.2 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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