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BSM75GB120DN2	文件：310.74 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：310.74 Kbytes 页数：10 Pages	eupec	eupec
BSM75GB120DN2	文件：112.89 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：112.89 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM75GB170DN2	文件：113.21 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBT Power Module Preliminary data • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 22 Ohm 文件：113.21 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM75GB170DN2	文件：313.13 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 22 Ohm 文件：313.13 Kbytes 页数：10 Pages	eupec	eupec
BSM75GB120DLC	文件：81.659 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM75GB120DLC 文件：81.659 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM75GB120DN2	文件：261.262 Kbytes Page：10 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM75GB120DN2 文件：261.262 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM75GB170DN2	文件：263.797 Kbytes Page：10 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM75GB170DN2 文件：263.797 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM75GB60DLC	文件：78.244 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM75GB60DLC 文件：78.244 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM75GB60DLC	文件：73.84 Kbytes Page：8 Pages	Hchstzulssige Werte Maximum rated values 文件：73.84 Kbytes 页数：8 Pages	eupec	eupec

详细参数

型号：
BSM75GB
功能描述：
IGBT 模块 1200V 75A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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