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BSM75GB170DN2分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

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厂商型号

BSM75GB170DN2

参数属性

BSM75GB170DN2 封装/外壳为模块;包装为托盘托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1700V 110A 625W

功能描述

英飞凌IGBT模块 BSM75GB170DN2
IGBT MOD 1700V 110A 625W

封装外壳

模块

文件大小

263.797 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
Infineon
资料整理 苏州银邦电子科技有限公司
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:49:00

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BSM75GB170DN2规格书详情

BSM75GB170DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的BSM75GB170DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BSM75GB170DN2HOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘托盘

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,75A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1700V 110A 625W

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