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BSM75GB170DN2

IGBT Power Module

• Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 22 Ohm

文件:313.13 Kbytes 页数:10 Pages

eupec

BSM75GB170DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBT Power Module Preliminary data • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 22 Ohm

文件:113.21 Kbytes 页数:9 Pages

SIEMENS

西门子

BSM75GB170DN2

英飞凌IGBT模块 BSM75GB170DN2

文件:263.797 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

PDF上传者:苏州银邦电子科技有限公司

BSM75GB170DN2

IGBT Power Module

IGBT Power ModulePreliminary data• Half-bridge\n• Including fast free-wheeling diodes\n• Package with insulated metal base plate\n• RG on,min = 22 Ohm

Infineon

英飞凌

BSM75GB170DN2HOSA1

Package:模块;包装:托盘托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1700V 110A 625W

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSM75GB170DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模块 N-CH 1.7KV 110A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

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更多BSM75GB170DN2供应商 更新时间2025-10-5 9:16:00