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BSM75GB170DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBTPowerModule Preliminarydata •Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •RGon,min=22Ohm

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

BSM75GB170DN2

IGBT Power Module

•Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •RGon,min=22Ohm

eupec

eupec GmbH

BSM75GB170DN2

英飞凌IGBT模块 BSM75GB170DN2

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

PDF上传者:苏州银邦电子科技有限公司

BSM75GB170DN2HOSA1

Package:模块;包装:托盘托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1700V 110A 625W

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    BSM75GB170DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模块 N-CH 1.7KV 110A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

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更多BSM75GB170DN2供应商 更新时间2025-7-15 16:32:00