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BSM75GB120DN2

IGBT Power Module

• Half-bridge\n• Including fast free-wheeling diodes\n• Package with insulated metal base plate

Infineon

英飞凌

BSM75GB170DN2

IGBT Power Module

IGBT Power ModulePreliminary data• Half-bridge\n• Including fast free-wheeling diodes\n• Package with insulated metal base plate\n• RG on,min = 22 Ohm

Infineon

英飞凌

BSM75GB60DLC

IGBT模块

Our well-known  34 mm 600V dual IGBT modules are the right choice for your design. • Superior solution for frequency controlled inverter drives\n• UL/CSA Certification with UL1557 E83336\n• Operating temperature up to 150 °C\n• Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses\n• Existing packages with higher current capability\n• RoHS compliant\n\n优势:\;

Infineon

英飞凌

BSM75GB120DN2HOSA1

Package:模块;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 105A 625W

Infineon

英飞凌

BSM75GB170DN2HOSA1

Package:模块;包装:托盘托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1700V 110A 625W

Infineon

英飞凌

BSM75GB60DLCHOSA1

Package:模块;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 600V 100A 355W

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSM75GB

  • 功能描述:

    IGBT 模块 1200V 75A DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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更多BSM75GB供应商 更新时间2025-11-19 15:11:00