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BSM75GB170DN2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
BSM75GB170DN2规格书详情
描述 Description
IGBT Power ModulePreliminary data
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
• RG on,min = 22 Ohm
简介
BSM75GB170DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM75GB170DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号:
BSM75GB170DN2HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘托盘
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.9V @ 15V,75A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1700V 110A 625W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
IGBT |
3 |
绝对原厂原装,长期优势可定货 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
EUPEC |
24+ |
75A/1700V/IG |
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INFINEON/英飞凌 |
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MODULE |
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询价 | ||
EUPEC |
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IGBT |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MODULE |
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INFINEON |
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MODULE |
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INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
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