BSM75GB170DN2中文资料IGBT Power Module数据手册Infineon规格书

厂商型号	BSM75GB170DN2
参数属性	BSM75GB170DN2 封装/外壳为模块；包装为托盘托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1700V 110A 625W
功能描述	IGBT Power Module IGBT MOD 1700V 110A 625W
封装外壳	模块
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-27 12:09:00
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BSM75GB170DN2规格书详情

描述 Description

IGBT Power ModulePreliminary data
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
• RG on,min = 22 Ohm

简介

BSM75GB170DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM75GB170DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

产品编号：
BSM75GB170DN2HOSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘托盘
配置：
半桥
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，75A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
模块
描述：
IGBT MOD 1700V 110A 625W

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