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BSM200GB120DL	文件：128.3 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes) • Low Loss IGBT • Low inductance halfbridge • Including fast free- wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：128.3 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM200GB120DN2	文件：130.979 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：130.979 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM200GT120DN2	文件：180 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) IGBT Power Module Preliminary data • Solderable Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate 文件：180 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM25GD120D2	文件：137.19 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate 文件：137.19 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM200GA120DLC	文件：84.537 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT BSM200GA120DLC 文件：84.537 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM200GA120DN2	文件：207.662 Kbytes Page：11 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM200GA120DN2 文件：207.662 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM200GA170DLC	文件：121.629 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM200GA170DLC 文件：121.629 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM200GA170DN2	文件：275.277 Kbytes Page：10 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM200GA170DN2 文件：275.277 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM200GAL120DLC	文件：346.866 Kbytes Page：10 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM200GAL120DLC 文件：346.866 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM200GB60DLC	文件：111.352 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM200GB60DLC 文件：111.352 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM2
功能描述：
IGBT 晶体管 1200V 200A SINGLE
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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