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BSM25GB120DN2	文件：111.4 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) 文件：111.4 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM25GB120DN2	文件：318.92 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Power Module 文件：318.92 Kbytes 页数：10 Pages	eupec	eupec
BSM25GD100D	文件：326.45 Kbytes Page：8 Pages	IGBT MODULE 文件：326.45 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM25GD120DLCE3224	文件：121.73 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-Module 文件：121.73 Kbytes 页数：8 Pages	eupec	eupec
BSM25GD120DN2	文件：270.51 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module 文件：270.51 Kbytes 页数：9 Pages	eupec	eupec
BSM25GD120DN2E3224	文件：270.51 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module 文件：270.51 Kbytes 页数：9 Pages	eupec	eupec
BSM25GP120	文件：201.27 Kbytes Page：12 Pages	Technical Information IGBT-Modules 文件：201.27 Kbytes 页数：12 Pages	eupec	eupec
BSM200GA120DLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT-Modules This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM200GA120DN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module IGBT Power Module• Single switch\n• Including fast free-wheeling diodes\n• Package with insulated metal base plate	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM200GA170DLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT-Modules	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BSM2
功能描述：
IGBT 晶体管 1200V 200A SINGLE
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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