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BSM200GB120DN2中文资料PDF规格书

BSM200GB120DN2
厂商型号

BSM200GB120DN2

参数属性

BSM200GB120DN2 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 290A 1400W

功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

文件大小

130.979 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Siemens Ltd
企业简称

SIEMENS西门子

中文名称

德国西门子股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 17:18:00

BSM200GB120DN2规格书详情

IGBT Power Module

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

产品属性

  • 产品编号:

    BSM200GB120DN2HOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,200A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 290A 1400W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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