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BSM150GB120DLC	文件：263.25 Kbytes Page：8 Pages	62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode 文件：263.25 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSM150GB120DLC	文件：90.05 Kbytes Page：8 Pages	Technische Information / Technical Information Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：90.05 Kbytes 页数：8 Pages	EUPEC	EUPEC
BSM150GB120DN2	文件：854.99 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：854.99 Kbytes 页数：11 Pages	EUPEC	EUPEC
BSM150GB120DN2	文件：131.29 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：131.29 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM150GB120DN2E3166	文件：130.93 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area) • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Enlarged diode area • Package with insulated metal base plate 文件：130.93 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM150GB120DLC	文件：268.366 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM150GB120DLC 文件：268.366 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
BSM150GB120DLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT-Modules	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM150GB120DN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM150GB120DN2E3166	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM150GB120DLCHOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 300A 1250W	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
BSM150GB120D
功能描述：
IGBT 模块 1200V 150A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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